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MBE
自社内所有のMBE装置にて化合物半導体製品を製造しております。
詳細につきましては個別にお問い合わせ下さい。

●MBE
特徴
■PCA (テラヘルツ発生・検出チップ:CEE/CEDシリーズ)
 GaAs基板を使ったテラヘルツ波用アンテナを製造・販売しております。
 CEE/CEDシリーズは、LT-GaAs(低温成長GaAs)上にテラヘルツ波用アンテナパターンを
 形成したテラヘルツ波発生/検出チップです。
 分光分析やテラヘルツイメージングに使用できます。
 広帯域、高感度、高S/Nを実現。分析精度の向上・測定時間短縮・励起レーザーの
 長寿命化に寄与します。
 チップ販売、及び、モジュールでのご提供が可能です。
 自社内で製造をおこなっておりチップ形状やアンテナ形状の変更も可能です。

 特性 例)                   アンテナ形状 例)
■量子ドットレーザー
 GaAs基板を使った量子ドットレーザを製造しております。
 量子ドットレーザーは温度による出力変動が小さい特徴をもっており、
 さまざまな分野への展開が期待できます。